vovrВысшее образование в России (Vysshee obrazovanie v Rossii = Higher Education in Russia)Vysshee Obrazovanie v Rossii = Higher Education in Russia0869-36172072-0459Moscow Polytechnic Universityvovr-298Research ArticleЮБИЛЕЙJUBILEEЦЕНТР КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ «ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИИ НАНОСТРУКТУР»: ФУНКЦИИ И ЗАДАЧИСозановВалерий ГавриловичSozanovValeriy G.v.sozanov@mail.ruБлиевАлександр ПетровичBlievAleksandr P.bliev@mail.ruМагкоевТамерлан ТаймуразовичMagkoevTamerlan T.t_magkoev@mail.ruСеверо-Осетинский государственный университет им. К.Л. ХетагуроваРоссияNorth-Ossetian State UniversityRussian Federation201506122016010112120Copyright © Созанов В.Г., Блиев А.П., Магкоев Т.Т., 20162016Созанов В.Г., Блиев А.П., Магкоев Т.Т.Sozanov V.G., Bliev A.P., Magkoev T.T.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vovr.elpub.ru/jour/article/view/298

В статье проанализировано место ЦКП СОГУ «Физика и технологии наноструктур» в сети центров коллективного пользования научным оборудованием Российской Федерации. Показано, что в силу постоянного пополнения приборного парка, развития научной инфраструктуры и привлечения молодежи в сферу науки ЦКП СОГУ играет заметную роль в реализации приоритетных направлений развития научно-технологического комплекса России, решении приоритетных научных задач, в подготовке кадров высшей квалификации и создании элементов инновационной образовательной среды в высшем учебном заведении.

The role of the Center for collective use of North-Ossetian State University “The physics and technology of nanostructures” in the scientific net of Russian Federation is analyzed. It is shown that adhering to the federal development strategy of CCU net, the North-Ossetian center on the basis of equipment acquiring scientific infrastructure development and attracting youth to science, takes a significant place in realization of priority directions of scientific-technological complex of Russia development, solving the priority scientific tasks, preparation of personnel of higher qualification and creation of the elements of innovative educational environment for higher education.

центр коллективного пользования (ЦКП)приоритетные научные задачиоказание услуг ЦКПнаучно-технические разработки ЦКПподготовка кадров с использованием оборудования ЦКПCenter for collective use (CCU)priority scientific tasksproviding CCU servicesscientific-technical developments of CCUpreparation of personnel using CCU equipmentReferencesКачак В.В. Центры коллективного пользования научным оборудованием в секторе современных исследований и разработок // Российские нанотехнологии. 2010. Т. 5. № 5-6. С. 31-37Kachak, V.V. (2010). [Centers for Collective use of Scientific Equipment in the Field of Modern Research and Development]. Rossiiskie nanotekhnologii [Russian Nanotechnologies]. Vol. 2, no. 5-6, pp. 31-37. (In Russ.)Tvauri I.V., Khubezhov S.A., Demeev Z.S. et al. Carbon monoxide dissociation to oxidation surface reaction pathway shift on Mo(110) upon alloying with boron // Vacuum. 2013. V. 88. P. 8-10Tvauri, I.V., Khubezhov, S.A., Demeev, Z.S. et al. (2013). Carbon monoxide dissociation to oxidation surface reaction pathway shift on Mo(110) upon alloying with boron. Vacuum. Vol. 88, pp. 8-10.Ramonova A.G., Tvauri I.V., Khubezhov S.A. et al. Time-of-flight study of photoinduced dynamics of copper and manganese phthalo-cyanine thin films on Si(111) // Physica Scripta. 2013. V. 157. P. 014007-014011Ramonova, A.G., Tvauri, I.V., Khubezhov, S.A. et al. (2013). Time-of-flight study of photoinduced dynamics of copper and manganese phthalocyanine thin films on Si(111). PhysicaScripta. Vol. 157, pp. 014007-014011.Parkhomenko Yu.N., Belogorokhov A.I., Bliev A.P., Sozanov V.G., Magkoev T.T. The Properties of Nanosized Silicon Prepared by Plasmochemical and Electrolytic (HCl : HF : C2H5OH ) Techniques // Nanoscience and Nanoengineering. 2013. V. 1. P. 51-56Parkhomenko, Yu.N., Belogorokhov, A.I., Bliev, A.P., Sozanov, V.G., Magkoev, T.T. (2013). The Properties of Nanosized Silicon Prepared by Plasmochemical and Electrolytic (HCl : HF : C2-H5-OH) Techniques. Nanoscience and Nanoengineering. Vol. 1, pp. 51-56.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.